Справочник MOSFET. IXFH12N65X2

 

IXFH12N65X2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH12N65X2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 712 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXFH12N65X2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH12N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  ixys
 ixfp12n65x2m ixfp12n65x2 ixfa12n65x2 ixfh12n65x2.pdf pdf_icon

IXFH12N65X2

X2-Class HiPERFET VDSS = 650VIXFA12N65X2Power MOSFET ID25 = 12AIXFP12N65X2 RDS(on) 310m IXFH12N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tr

 7.1. Size:53K  ixys
 ixfh12n90q ixft12n90q.pdf pdf_icon

IXFH12N65X2

IXFH 12N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 12N90Q ID25 = 12 APower MOSFETsRDS(on) = 0.9 WQ ClassN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC

 7.2. Size:570K  ixys
 ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf pdf_icon

IXFH12N65X2

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 7.3. Size:179K  ixys
 ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf pdf_icon

IXFH12N65X2

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NP60N04KUG , NP60N04MUG , NP60N04MUK , NP60N04NUK , IRL60SL216 , IXFA56N30X3 , IXFP56N30X3 , IXFA12N65X2 , IRF1407 , IXFA8N85XHV , IXFP8N85X , IXFA36N20X3 , IXFP36N20X3 , IXTP12N70X2 , VN1204N5 , VN1210N5 , VN1204N1 .

History: RUH30150M | CMI80N06 | RU20N65R | RP1E090RP | WML08N65EM | RJK0210DPA | IPP200N25N3

 

 
Back to Top

 


 
.