NP70N10KUF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NP70N10KUF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для NP70N10KUF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP70N10KUF даташит

 ..1. Size:261K  renesas
 np70n10kuf.pdf pdf_icon

NP70N10KUF

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:320K  renesas
 np70n04mug.pdf pdf_icon

NP70N10KUF

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... NP60N04PDK, NP60N04VDK, NP60N04VUK, NP60N055KUG, NP60N055MUK, NP60N055NUK, NP60N055VUK, NP70N04MUG, P60NF06, NP74N04YUG, NP75N04VDK, NP75N04VUK, NP75N04YUG, NP75N04YUK, NP75N055YUK, NP75P03YDG, NP75P04YLG