NP75N04YUG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NP75N04YUG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: HSON
Аналог (замена) для NP75N04YUG
NP75N04YUG Datasheet (PDF)
np75n04yug.pdf

Preliminary Data Sheet NP75N04YUG R07DS0018EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP75N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 4.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 37.5 A) Low Ciss: Ciss = 4300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designe
np75n04yuk.pdf

Preliminary Data Sheet NP75N04YUK R07DS1004EJ010040 V 75 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Feb 08, 2013Description The NP75N04YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 38 A) Non logic level drive typ
np75n04vdk.pdf

Preliminary Data Sheet NP75N04VDK R07DS1015EJ010040 V 75 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Feb 21, 2013Description The NP75N04VDK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 5.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 38 A) Low Ciss: Ciss = 1630 pF
np75n04vuk.pdf

Preliminary Data Sheet NP75N04VUK R07DS0954EJ010040 V 75 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Nov 20, 2012Description The NP75N04VUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 5.7 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 38 A) Low Ciss: Ciss = 1630 pF T
Другие MOSFET... NP60N055MUK , NP60N055NUK , NP60N055VUK , NP70N04MUG , NP70N10KUF , NP74N04YUG , NP75N04VDK , NP75N04VUK , IRFZ48N , NP75N04YUK , NP75N055YUK , NP75P03YDG , NP75P04YLG , NP80N03CDE , NP80N03CLE , NP80N03DDE , NP80N03DLE .
History: STQ2HNK60Z-AP | IPP80N06S2L-09 | FDC699P | MMFTN290E | IRFZ48NSPBF | FDMS86540 | CM10N60AZ
History: STQ2HNK60Z-AP | IPP80N06S2L-09 | FDC699P | MMFTN290E | IRFZ48NSPBF | FDMS86540 | CM10N60AZ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551