Справочник MOSFET. SML50T47

 

SML50T47 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML50T47
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 312 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML50T47 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:19K  semelab
sml50t47.pdfpdf_icon

SML50T47

SML50T47T247clipPackage Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610)NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODE5.38 (0.212)6.20 (0.244)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS2VDSS 500V1 2 32.87 (0.113)ID(cont) 47A0.40 (0.016)3.12 (0.123) 0.79 (0.031)1.65 (0.065)2.13 (0.084) RDS(on) 0.1001.01 (0.040)1.40 (0.055)

 9.1. Size:20K  semelab
sml50a19.pdfpdf_icon

SML50T47

SML50A19TO3 Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL25.15 (0.99) ENHANCEMENT MODE6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)HIGH VOLTAGE11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)POWER MOSFETSVDSS 500V1 2ID(cont) 18.5A3(case)RDS(on) 0.2403.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50) Faster Switching Lower LeakagePin 1

 9.2. Size:21K  semelab
sml50b26.pdfpdf_icon

SML50T47

SML50B26TO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 500V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 26A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.2002.21

 9.3. Size:601K  semelab
sml50hb06.pdfpdf_icon

SML50T47

SML50HB06 Attributes: -aerospace build standard -high reliability -lightweight -metal matrix base plate -AlN isolation Maximum rated values/ Electrical Properties Collector-emitter Voltage 600 VVce DC Collector Current Tc=80C Ic, nom 50 A Tc=25C Ic 75 Repetitive peak Collector Cur- tp=1msec,Tc=80C Icrm 100 Arent Total PowerDissipation Tc=25C Ptot 280 WGate-emitte

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BRCS1C5P06MA

 

 
Back to Top

 


 
.