Справочник MOSFET. NSVJ3557SA3

 

NSVJ3557SA3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NSVJ3557SA3
   Маркировка: IR
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: SC-59

 Аналог (замена) для NSVJ3557SA3

 

 

NSVJ3557SA3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  onsemi
 nsvj3557sa3.pdf

NSVJ3557SA3 NSVJ3557SA3

NSVJ3557SA3 Advance Information N-Channel JFET 15V, 10 to 32mA, 35mS Automotive JFET designed for compact and efficient designs and www.onsemi.com including high gain performance. AEC-Q101 qualified JEFT and PPAP capable suitable for automotive applications. Features ELECTRICAL CONNECTION Large | yfs | N-Channel Small Ciss 3 This small package enables sets

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top