IPI45N04S4L-08 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IPI45N04S4L-08 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
Тип корпуса: TO262
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IPI45N04S4L-08
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPI45N04S4L-08 даташит
ipp45n04s4l-08 ipb45n04s4l-08 ipi45n04s4l-08.pdf
IPB45N04S4L-08 IPI45N04S4L-08, IPP45N04S4L-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R (SMD version) 7.6 m DS(on),max I 45 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Typ
ipb45n06s4-09 ipi45n06s4-09 ipp45n06s4-09.pdf
IPB45N06S4-09 IPI45N06S4-09, IPP45N06S4-09 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 9.2 m DS(on),max I 45 A D Features N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB45N06S4-09 PG-TO263-
ipb45n06s4l-08 ipi45n06s4l-08 ipp45n06s4l-08 ipp45n06s4l ipb45n06s4l ipi45n06s4l-08.pdf
IPB45N06S4L-08 IPI45N06S4L-08, IPP45N06S4L-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 7.9 m DS(on),max I 45 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
ipb45p03p4l-11 ipi45p03p4l-11 ipp45p03p4l-11.pdf
IPB45P03P4L-11 IPI45P03P4L-11, IPP45P03P4L-11 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary V -30 V DS R (SMD Version) 10.8 m DS(on) I -45 A D Features P-channel - Logic Level - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch
Другие IGBT... IPI05CNE8NG, IPP054NE8NG, IPI06CN10NG, IPI08CNE8NG, IPP08CNE8NG, IPD12CNE8NG, IPI12CNE8NG, IPP12CNE8NG, TK10A60D, IPP45N04S4L-08, TP2301PR, TP2302NR, TP2305PR, TP3443PR, TP4812NR, TP9435PR, 4N60CB
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor




