Справочник MOSFET. AP9918J

 

AP9918J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9918J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для AP9918J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9918J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  1
 ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9918J

AP9918H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the b

 8.1. Size:81K  ape
 ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9918J

AP9918GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-2

 8.2. Size:214K  ape
 ap9918gh ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9918J

AP9918GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20VD Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A Surface mount package GSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggediz

 9.1. Size:83K  ape
 ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9918J

AP9915H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TP2305PR , TP3443PR , TP4812NR , TP9435PR , 4N60CB , AON6786 , AON6790 , AP9918H , AO3401 , CEB7030L , CEP7030L , CSD30N55 , DMT10N60 , DMF10N60 , DMK10N60 , DMG10N60 , H06N60U .

History: WMK53N65F2 | R6509KNX

 

 
Back to Top

 


 
.