FHP3205 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FHP3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FHP3205
FHP3205 Datasheet (PDF)
fhp3205.pdf
3205Featuresproduct description 110A, 55V, RDS(on) = 8.0m fast switching FHP3205 is a low-voltage high-current power MOS field effect transistor, speedwidely used in power invertersAvailableRoHS*?COMPLIANTLimit value (TC=25)parameter name symbol unitParameter valueVDrain-source voltage 55V DSV DSDrain current @Tc=25 110 AI DI DV GSGate-source
fhp3205c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP3205C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 110 A Low gate charge VDSS 55 V Crss ( 211pF) Low Crss (typical 211pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2 m Fast switching Qg-typ 146nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved
Другие MOSFET... SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , SWD5N65K , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , IRFP460 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R , JCS12N65T , JCS12N65CT , JCS12N65FT , ME4410A , MMD65R600QRH .
History: NTTFS4937N | SIR432DP | SIA445EDJT | 2SK3773-01MR
History: NTTFS4937N | SIR432DP | SIA445EDJT | 2SK3773-01MR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet



