Справочник MOSFET. FHP3205

 

FHP3205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP3205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 146 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FHP3205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP3205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  1
 fhp3205.pdf pdf_icon

FHP3205

3205Featuresproduct description 110A, 55V, RDS(on) = 8.0m fast switching FHP3205 is a low-voltage high-current power MOS field effect transistor, speedwidely used in power invertersAvailableRoHS*?COMPLIANTLimit value (TC=25)parameter name symbol unitParameter valueVDrain-source voltage 55V DSV DSDrain current @Tc=25 110 AI DI DV GSGate-source

 0.1. Size:1379K  feihonltd
 fhp3205c.pdf pdf_icon

FHP3205

N N-CHANNEL MOSFET FHP3205C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 110 A Low gate charge VDSS 55 V Crss ( 211pF) Low Crss (typical 211pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2 m Fast switching Qg-typ 146nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved

Другие MOSFET... SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , SWD5N65K , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , IRF640 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R , JCS12N65T , JCS12N65CT , JCS12N65FT , ME4410A , MMD65R600QRH .

History: HRD13N10K | NCE8580

 

 
Back to Top

 


 
.