FHP3205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHP3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 146 nC
trⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
FHP3205 Datasheet (PDF)
fhp3205.pdf
3205Featuresproduct description 110A, 55V, RDS(on) = 8.0m fast switching FHP3205 is a low-voltage high-current power MOS field effect transistor, speedwidely used in power invertersAvailableRoHS*?COMPLIANTLimit value (TC=25)parameter name symbol unitParameter valueVDrain-source voltage 55V DSV DSDrain current @Tc=25 110 AI DI DV GSGate-source
fhp3205c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP3205C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 110 A Low gate charge VDSS 55 V Crss ( 211pF) Low Crss (typical 211pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2 m Fast switching Qg-typ 146nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918