JCS12N65T - описание и поиск аналогов

 

JCS12N65T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS12N65T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для JCS12N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS12N65T даташит

 ..1. Size:1140K  1
 jcs12n65t.pdf pdf_icon

JCS12N65T

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson @Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 6.1. Size:1489K  jilin sino
 jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf pdf_icon

JCS12N65T

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 6.2. Size:1410K  jilin sino
 jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf pdf_icon

JCS12N65T

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.3. Size:543K  jilin sino
 jcs12n65f.pdf pdf_icon

JCS12N65T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R , IRLZ44N , JCS12N65CT , JCS12N65FT , ME4410A , MMD65R600QRH , MT3245 , NCE0117K , NTMFS4C55N , SI9953DY .

History: 2SK321

 

 

 

 

↑ Back to Top
.