Справочник MOSFET. SVF4N60CAK

 

SVF4N60CAK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SVF4N60CAK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 92 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 26 ns

Выходная емкость (Cd): 55 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-262-3L

Аналог (замена) для SVF4N60CAK

 

 

SVF4N60CAK Datasheet (PDF)

1.1. svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf Size:801K _1

SVF4N60CAK
SVF4N60CAK

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

4.1. svf4n65.pdf Size:642K _silan

SVF4N60CAK
SVF4N60CAK

SVF4N65T/F(G)/M_Datasheet 4A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N65T/F(G)/M is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top