SVF4N60CAMN - описание и поиск аналогов

 

SVF4N60CAMN - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVF4N60CAMN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-251N-3L
 

 Аналог (замена) для SVF4N60CAMN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N60CAMN технические параметры

 ..1. Size:801K  1
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAMN

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 ..2. Size:473K  silan
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cat svf4n60cadtr svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAMN

 ..3. Size:900K  silan
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAMN

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ 4A 600V N SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N MOS F-CellTM VDMOS

 5.1. Size:323K  silan
 svf4n60cafj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAMN

SVF4N60CAFJ 4A 600V N 2 SVF4N60CAFJ N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI9953DY , STP110N7F6 , SUP85N03-07P , SUB85N03-07P , SVF4N60CAF , SVF4N60CAK , SVF4N60CAD , SVF4N60CAT , IRF9540 , SVF4N60CAMJ , UTC7N65L , WFP75N08 , IPU105N03LG , IPU64CN10NG , IPF039N03LG , IPF090N03LG , 7N80L-TA3-T .

 

 
Back to Top

 


 
.