IPU105N03LG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPU105N03LG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPU105N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU105N03LG даташит

 ..1. Size:1239K  1
 ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf pdf_icon

IPU105N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

 9.1. Size:613K  infineon
 ipu103n08n31.pdf pdf_icon

IPU105N03LG

Другие IGBT... SVF4N60CAF, SVF4N60CAK, SVF4N60CAD, SVF4N60CAT, SVF4N60CAMN, SVF4N60CAMJ, UTC7N65L, WFP75N08, IRF9540N, IPU64CN10NG, IPF039N03LG, IPF090N03LG, 7N80L-TA3-T, 7N80L-TF3-T, 7N80L-TF1-T, 7N80L-TQ2-R, 7N80L-TQ2-T