IPA030N10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPA030N10N3
Маркировка: 030N10N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 155 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1940 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для IPA030N10N3
IPA030N10N3 Datasheet (PDF)
ipa030n10n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA030N10N3,IIPA030N10N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 3m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDevice for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
ipa030n10n3g.pdf

IPA030N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 3 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 79 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequen
ipa037n08n3g.pdf

IPA037N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 3.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 75 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli
ipa032n06n3 rev20.pdf

pe # ! ! TM #:A03 B53 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35
Другие MOSFET... FCPF250N65S3L1 , FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , AO4468 , IPA037N08N3 , IPA045N10N3 , IPA057N08N3 , IPA086N10N3 , IPA60R180C7 , IPA60R360P7 , IPAN60R650CE , IPB048N15N5 .
History: ZXMP6A18DN8
History: ZXMP6A18DN8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor