Справочник MOSFET. IPA030N10N3

 

IPA030N10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA030N10N3
   Маркировка: 030N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 155 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для IPA030N10N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA030N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
ipa030n10n3.pdfpdf_icon

IPA030N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA030N10N3,IIPA030N10N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 3m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDevice for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

 0.1. Size:335K  infineon
ipa030n10n3g.pdfpdf_icon

IPA030N10N3

IPA030N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max 3 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 79 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequen

 9.1. Size:393K  infineon
ipa037n08n3g.pdfpdf_icon

IPA030N10N3

IPA037N08N3 GOptiMOS(TM)3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 3.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 75 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

 9.2. Size:542K  infineon
ipa032n06n3 rev20.pdfpdf_icon

IPA030N10N3

pe # ! ! TM #:A03 B53 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35

Другие MOSFET... FCPF250N65S3L1 , FDA44N50 , FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , AO4468 , IPA037N08N3 , IPA045N10N3 , IPA057N08N3 , IPA086N10N3 , IPA60R180C7 , IPA60R360P7 , IPAN60R650CE , IPB048N15N5 .

History: ZXMP6A18DN8

 

 
Back to Top

 


 
.