Справочник MOSFET. IPA045N10N3

 

IPA045N10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA045N10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для IPA045N10N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA045N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  inchange semiconductor
ipa045n10n3.pdfpdf_icon

IPA045N10N3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPA045N10N3,IIPA045N10N3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 4.5m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDevice for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

 0.1. Size:537K  infineon
ipa045n10n3g.pdfpdf_icon

IPA045N10N3

# ! ! TM #:A0

 9.1. Size:1069K  infineon
ipa040n08nm5s.pdfpdf_icon

IPA045N10N3

IPA040N08NM5SMOSFETPG-TO 220 FPOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified

 9.2. Size:1068K  infineon
ipa040n06nm5s.pdfpdf_icon

IPA045N10N3

IPA040N06NM5SMOSFETPG-TO 220 FPOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 60 VFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified

Другие MOSFET... FDI036N10A , FDP8D5N10C , FDPF8D5N10C , FMW60N190S2HF , FQD50N06 , FQD50P06 , IPA030N10N3 , IPA037N08N3 , IRFP064N , IPA057N08N3 , IPA086N10N3 , IPA60R180C7 , IPA60R360P7 , IPAN60R650CE , IPB048N15N5 , IPI030N10N3 , IPI037N08N3 .

 

 
Back to Top

 


 
.