2SK1712. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1712

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F FM20

Аналог (замена) для 2SK1712

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1712 даташит

 ..1. Size:33K  1
 2sk1712.pdf pdf_icon

2SK1712

 8.1. Size:191K  toshiba
 2sk1719.pdf pdf_icon

2SK1712

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 8.2. Size:75K  toshiba
 2sk1717.pdf pdf_icon

2SK1712

 8.3. Size:851K  cn vbsemi
 2sk1717.pdf pdf_icon

2SK1712

2SK1717 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise no

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1591, 2SK1592, 2SK1593, 2SK1594, 2SK1596, 2SK162, 2SK163, 2SK1664, MMIS60R580P, 2SK1748, 2SK1749, 2SK1750, 2SK1751, 2SK1752, 2SK1753, 2SK1756, 2SK1757