Справочник MOSFET. CMP40P03

 

CMP40P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMP40P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CMP40P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMP40P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1039K  1
cmp40p03.pdfpdf_icon

CMP40P03

CMP40P03P-Ch -30V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe CMP40P03 is a P-channel Power BVDSS RDSON ID MOSFET. It has specifically been designed to minimize input capacitance -30V 14m -40Aand gate charge. The device is therefore suitable in advanced Applications high-efficiency switching applications. LED POWER CONTROLLER DC-DC & DC-AC CONVERTERS

Другие MOSFET... SVF5N60T , SVF5N60F , SVF5N60D , SVF5N60MJ , TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , IRLB4132 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P .

History: R6004JNX | HSP0048 | TMPF8N50Z | APT5020BLC

 

 
Back to Top

 


 
.