Справочник MOSFET. SML60J62

 

SML60J62 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML60J62
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML60J62 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:24K  semelab
sml60j62.pdfpdf_icon

SML60J62

SML60J62SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3V

 8.1. Size:24K  semelab
sml60j35.pdfpdf_icon

SML60J62

SML60J35SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3V

 9.1. Size:20K  semelab
sml60l38.pdfpdf_icon

SML60J62

SML60L38TO264AA Package Outline.Dimensions in mm (inches)1.80 (0.071)2.01 (0.079) NCHANNEL4.60 (0.181) 19.51 (0.768)5.21 (0.205) 26.49 (0.807)3.10 (0.122)ENHANCEMENT MODE3.48 (0.137)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 600V1 2 32.29 (0.090)ID(cont) 38A2.69 (0.106)2.79 (0.110)3.18 (0.125)RDS(on) 0.1500.48 (0.019) 0.76 (0.030)0.84 (0.033) 1.30 (0.051)

 9.2. Size:26K  semelab
sml60w32.pdfpdf_icon

SML60J62

SML60W32TO267 Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNELENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 600VID(cont) 31.5ARDS(on) 0.170 Faster Switching Lower Leakage TO267 Hermetic PackageDStarMOS is a new generation of high voltageNChannel enhancement mode power MOSFETs.This new technology minimises the JFET effect,Gincreas

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TPCA8027-H | 2SK2052 | SI4936CDY | STP60NE06L-16FP | IRCP150 | FQD8P10 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.