SVD730D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVD730D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
Тип корпуса: TO252
SVD730D Datasheet (PDF)
svd730d svd730f svd730t.pdf

SVD730D/F/T_Datasheet 5.5A, 400V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD730D/F/T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch
Другие MOSFET... JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , IRF2807 , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , UT70N03G , DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117