HY3410P - описание и поиск аналогов

 

HY3410P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HY3410P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 943 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO220FB

Аналог (замена) для HY3410P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3410P даташит

 ..1. Size:1363K  hymexa
 hy3410p hy3410m hy3410b hy3410ps hy3410pm hy3410mf.pdf pdf_icon

HY3410P

HY3410P/M/B/PS/PM/MF N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/140A S RDS(ON)= 6.2 m (typ.) @ VGS=10V D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S S pplications D A D G G TO-3PS-3L TO-3PM-3S TO-220MF-3L Sw

 8.1. Size:1041K  1
 hy3410.pdf pdf_icon

HY3410P

HY3410P/M/B/PS/PM/MF Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25 C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25 C 140 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current *

Другие MOSFET... DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , DG4N65-TO220F , DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U , HY3403V , IRF9640 , HY3410M , HY3410B , HY3410PS , HY3410PM , HY3410MF , JCS3910V , JCS3910R , MMD65R900QRH .

History: HCP65R110 | IRF7207PBF | RF4E110GN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.