HY3410P - аналоги и даташиты транзистора

 

HY3410P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY3410P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 943 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220FB
 

 Аналог (замена) для HY3410P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3410P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1363K  hymexa
 hy3410p hy3410m hy3410b hy3410ps hy3410pm hy3410mf.pdf pdf_icon

HY3410P

HY3410P/M/B/PS/PM/MFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 100V/140ASRDS(ON)= 6.2 m(typ.) @ VGS=10VDGSD 100% avalanche testedGSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSSpplicationsDA DGGTO-3PS-3L TO-3PM-3STO-220MF-3LSw

 8.1. Size:1041K  1
 hy3410.pdf pdf_icon

HY3410P

HY3410P/M/B/PS/PM/MFAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 C IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 140 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current *

Другие MOSFET... DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , DG4N65-TO220F , DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U , HY3403V , AON7403 , HY3410M , HY3410B , HY3410PS , HY3410PM , HY3410MF , JCS3910V , JCS3910R , MMD65R900QRH .

History: RU40120M | NCE0110AS | BSC050N03LSG | TK31A60W | 3N80L-TA3-T | GT045N10D5 | NCEP4045GU

 

 
Back to Top

 


 
.