Справочник MOSFET. HY3210PM

 

HY3210PM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HY3210PM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 237 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 120 nC

Время нарастания (tr): 35 ns

Выходная емкость (Cd): 902 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO3PS

Аналог (замена) для HY3210PM

 

 

HY3210PM Datasheet (PDF)

0.1. hy3210p hy3210m hy3210b hy3210ps hy3210pm.pdf Size:4740K _1

HY3210PM
HY3210PM

HY3210P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionF eatures 100V/120ARDS(ON)= 6.8 m (typ.) @ VGS=10VS DS100% avalanche testedD GGSD Reliable and RuggedG TO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-263-2LTO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsATO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-3PS-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top