Справочник MOSFET. FMV60N190S2HF

 

FMV60N190S2HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMV60N190S2HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FMV60N190S2HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV60N190S2HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  inchange semiconductor
 fmv60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMV60N190S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N190S2HFFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.19(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general

 8.1. Size:279K  inchange semiconductor
 fmv60n280s2hf.pdf pdf_icon

FMV60N190S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMV60N280S2HFFEATURESDrain Current : I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.28(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand

Другие MOSFET... SSP60N06 , SUV90N06-05 , SVF740T , SVF740F , AOB9N70 , AOTF29S50L , AOTF9N70L , AOW66412 , IRF9540 , JCS650C , JCS650F , JCS650S , R6002END3 , R6003KND3 , R6004JND3 , R6004JNJ , R6004JNX .

History: HSP0024A | IRLI3803PBF

 

 
Back to Top

 


 
.