Справочник MOSFET. R6007JNJ

 

R6007JNJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6007JNJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: LPT

 Аналог (замена) для R6007JNJ

 

 

R6007JNJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2252K  1
 r6007jnj.pdf

R6007JNJ R6007JNJ

R6007JNJDatasheetNch 600V 7A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS600VRDS(on)(Max.)0.780ID7APD96W lFeaturesllInner circuitl1) Fast reverse recovery time (trr)2) Low on-resistance3) Fast switching speed4) Drive circuits can be simple5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPack

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6007jnj.pdf

R6007JNJ R6007JNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6007JNJFEATURESDrain Current I =7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 780m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 7.1. Size:1482K  1
 r6007jnd3.pdf

R6007JNJ R6007JNJ

R6007JND3DatasheetNch 600V 7A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS600VRDS(on)(Max.)0.780ID7APD96W lFeaturesllInner circuitl1) Fast reverse recovery time (trr)2) Low on-resistance3) Fast switching speed4) Drive circuits can be simple5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPac

 7.2. Size:2206K  1
 r6007jnx.pdf

R6007JNJ R6007JNJ

R6007JNXDatasheetNch 600V 7A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS600VRDS(on)(Max.)0.780ID7APD46W lFeaturesllInner circuitl1) Fast reverse recovery time (trr)2) Low on-resistance3) Fast switching speed4) Drive circuits can be simple5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPa

 7.3. Size:266K  inchange semiconductor
 r6007jnd3.pdf

R6007JNJ R6007JNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6007JND3FEATURESDrain Current I =7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 780m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.4. Size:252K  inchange semiconductor
 r6007jnx.pdf

R6007JNJ R6007JNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6007JNXFEATURESDrain Current I =7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 780m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top