Справочник MOSFET. SSF7N60B

 

SSF7N60B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF7N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SSF7N60B

 

 

SSF7N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  1
 ssf7n60b.pdf

SSF7N60B SSF7N60B

November 2001SSF7N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.4A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast s

 7.1. Size:210K  1
 ssf7n60a.pdf

SSF7N60B SSF7N60B

 7.2. Size:433K  silikron
 ssf7n60.pdf

SSF7N60B SSF7N60B

SSF7N60 Features VDSS = 600V Extremely high dv/dt capability ID = 7A Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Rdson = 0.9 (typ.) 100% avalanche tested Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Very good manufacturing repeatability Description The SSF7N60 is a new generation of high voltage NChannel enhancement mode

 7.3. Size:523K  silikron
 ssf7n60f.pdf

SSF7N60B SSF7N60B

SSF7N60F Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.9ohm(typ.) ID 7A Marking and p in TO220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: R6511ENX | SM4804DSK

 

 
Back to Top