R6009JNJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: R6009JNJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.585 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для R6009JNJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6009JNJ даташит

 ..1. Size:1486K  rohm
 r6009jnj.pdf pdf_icon

R6009JNJ

R6009JNJ Datasheet Nch 600V 9A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.585 ID 9A PD 125W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPac

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6009jnj.pdf pdf_icon

R6009JNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6009JNJ FEATURES Drain Current I =9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 585m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 7.1. Size:1480K  rohm
 r6009jnd3.pdf pdf_icon

R6009JNJ

R6009JND3 Datasheet Nch 600V 9A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.585 ID 9A PD 125W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPa

 7.2. Size:2104K  rohm
 r6009jnx.pdf pdf_icon

R6009JNJ

R6009JNX Datasheet Nch 600V 9A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.585 ID 9A PD 53W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT6017LFLL, APT60N60BCS, R6004KNJ, R6004KNX, R6007KNJ, R6007KNX, R6007MNJ, R6009JND3, SI2302, R6009JNX, R6009KNJ, R6009KNX, R6010MNX, R6011KNX, R6015KNJ, R6015KNZ, R6020KNJ