R6009JNX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: R6009JNX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 40 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.585 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
R6009JNX Datasheet (PDF)
r6009jnx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
R6009JNXDatasheetNch 600V 9A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS600VRDS(on)(Max.)0.585ID9APD53W lFeaturesllInner circuitl1) Fast reverse recovery time (trr)2) Low on-resistance3) Fast switching speed4) Drive circuits can be simple5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPa
r6009jnx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor R6009JNXFEATURESDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 585m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
r6009jnd3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
R6009JND3DatasheetNch 600V 9A Power MOSFETlOutlinel TO-252VDSS600VRDS(on)(Max.)0.585ID9APD125W lFeaturesllInner circuitl1) Fast reverse recovery time (trr)2) Low on-resistance3) Fast switching speed4) Drive circuits can be simple5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPa
r6009jnj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
R6009JNJDatasheetNch 600V 9A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS600VRDS(on)(Max.)0.585ID9APD125W lFeaturesllInner circuitl1) Fast reverse recovery time (trr)2) Low on-resistance3) Fast switching speed4) Drive circuits can be simple5) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPac
r6009jnd3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor R6009JND3FEATURESDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 585m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
r6009jnj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor R6009JNJFEATURESDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 585m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: LSD60R240HT