Справочник MOSFET. R6024KNZ

 

R6024KNZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6024KNZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для R6024KNZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6024KNZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1234K  rohm
r6024knz.pdfpdf_icon

R6024KNZ

R6024KNZDatasheetNch 600V 24A Power MOSFETlOutlinelVDSS 600VRDS(on)(Max.)0.165 TO-3PFID24APD 74W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Ultra fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationsl Packing Tube Reel size (mm) -lApp

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
r6024knz.pdfpdf_icon

R6024KNZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6024KNZFEATURESDrain Current I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 165m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 0.1. Size:2160K  rohm
r6024knz1.pdfpdf_icon

R6024KNZ

R6024KNZ1DatasheetNch 600V 24A Power MOSFETlOutlinelVDSS 600VRDS(on)(Max.)0.165 TO-247ID24APD 245W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Ultra fast switching speed.3) Parallel use is easy.4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.lPackaging specificationsl Packing Tube Reel size (mm) -

 0.2. Size:377K  inchange semiconductor
r6024knz1.pdfpdf_icon

R6024KNZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6024KNZ1FEATURESDrain Current I = 24A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 165m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... R6015KNJ , R6015KNZ , R6020KNJ , R6020KNX , R6020KNZ , R6020KNZ1 , R6024KNJ , R6024KNX , 20N60 , R6024KNZ1 , R6030KNX , R6030KNZ , R6030KNZ1 , R6030MNX , R6504ENJ , R6504ENX , R6504KNJ .

History: SSM9915K | SSW60R190S2 | SI5440DC

 

 
Back to Top

 


 
.