R6504ENJ - аналоги и даташиты транзистора

 

R6504ENJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: R6504ENJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для R6504ENJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6504ENJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1373K  rohm
 r6504enj.pdf pdf_icon

R6504ENJ

R6504ENJDatasheetNch 650V 4A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 650VRDS(on)(Max.) 1.050ID 4.0APD 58W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Embo

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6504enj.pdf pdf_icon

R6504ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6504ENJFEATURESDrain Current I = 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.05(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 7.1. Size:1370K  rohm
 r6504enx.pdf pdf_icon

R6504ENJ

R6504ENXDatasheetNch 650V 4A Power MOSFETlOutlinel TO-220FMVDSS 650VRDS(on)(Max.) 1.050ID 4.0APD 40W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Bu

 7.2. Size:251K  inchange semiconductor
 r6504enx.pdf pdf_icon

R6504ENJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6504ENXFEATURESDrain Current I = 4.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.05(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... R6024KNJ , R6024KNX , R6024KNZ , R6024KNZ1 , R6030KNX , R6030KNZ , R6030KNZ1 , R6030MNX , IRF640 , R6504ENX , R6504KNJ , R6504KNX , R6507ENJ , R6507ENX , R6507KNJ , R6509ENJ , R6509ENX .

 

 
Back to Top

 


 
.