Справочник MOSFET. R6520KNX1

 

R6520KNX1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6520KNX1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R6520KNX1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2218K  rohm
r6520knx1.pdfpdf_icon

R6520KNX1

R6520KNX1DatasheetNch 650V 20A Power MOSFETlOutlinel TO-220ABVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.205ID 20APD 220W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pa

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
r6520knx1.pdfpdf_icon

R6520KNX1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6520KNX1FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 205m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:1838K  rohm
r6520knx.pdfpdf_icon

R6520KNX1

R6520KNXDatasheetNch 650V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS 650VRDS(on)(Max.)0.205 TO-220FMID20APD 68W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslCode Packing C7 G TubelApplicationl C7 Tub

 6.2. Size:252K  inchange semiconductor
r6520knx.pdfpdf_icon

R6520KNX1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6520KNXFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 205m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 4N40 | SGSP341 | SUP75N08-10 | RHP030N03T100 | AP05N50I | SIHFI9610G | NP82N055DLE

 

 
Back to Top

 


 
.