Справочник MOSFET. R6520KNZ1

 

R6520KNZ1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6520KNZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для R6520KNZ1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6520KNZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2141K  rohm
r6520knz1.pdfpdf_icon

R6520KNZ1

R6520KNZ1DatasheetNch 650V 20A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.205ID 20APD 231W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 ..2. Size:377K  inchange semiconductor
r6520knz1.pdfpdf_icon

R6520KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6520KNZ1FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 205m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:2180K  rohm
r6520knz.pdfpdf_icon

R6520KNZ1

R6520KNZDatasheetNch 650V 20A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.205ID 20APD 68W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS complianlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing

 6.2. Size:265K  inchange semiconductor
r6520knz.pdfpdf_icon

R6520KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6520KNZFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 205m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... R6520ENJ , R6520ENX , R6520ENZ , R6520ENZ1 , R6520KNJ , R6520KNX , R6520KNX1 , R6520KNZ , 2SK3568 , R6524ENJ , R6524ENX , R6524ENZ , R6524ENZ1 , R6524KNJ , R6524KNX , R6524KNX1 , R6524KNZ .

History: SI4848DY-T1-E3 | TPC6005 | AOD407 | RU30290R | FDD6296 | STB160NF3LLT4 | SWD088R06VT

 

 
Back to Top

 


 
.