Справочник MOSFET. R6530KNZ

 

R6530KNZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6530KNZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для R6530KNZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6530KNZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2344K  rohm
r6530knz.pdfpdf_icon

R6530KNZ

R6530KNZDatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.140ID 30APD 86W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packin

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
r6530knz.pdfpdf_icon

R6530KNZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530KNZFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 0.1. Size:2341K  rohm
r6530knz1.pdfpdf_icon

R6530KNZ

R6530KNZ1DatasheetNch 650V 30A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.140ID 30APD 305W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 0.2. Size:304K  inchange semiconductor
r6530knz1.pdfpdf_icon

R6530KNZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6530KNZ1FEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... R6524KNX , R6524KNX1 , R6524KNZ , R6530ENX , R6530ENZ , R6530ENZ1 , R6530KNX , R6530KNX1 , IRFP250 , R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ .

History: NTTFS4824NTAG | STH410N4F7-2AG | WPM3012 | SWD4N65DA | WML10N60C4 | SP8006 | WMM15N65C2

 

 
Back to Top

 


 
.