Справочник MOSFET. R6535KNZ

 

R6535KNZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6535KNZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для R6535KNZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6535KNZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3547K  rohm
 r6535knz.pdf pdf_icon

R6535KNZ

R6535KNZDatasheetNch 650V 35A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.115ID 35APD 102W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packi

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 r6535knz.pdf pdf_icon

R6535KNZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6535KNZFEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

 0.1. Size:1723K  rohm
 r6535knz1.pdf pdf_icon

R6535KNZ

R6535KNZ1DatasheetNch 650V 35A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.115ID 35APD 379W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 0.2. Size:303K  inchange semiconductor
 r6535knz1.pdf pdf_icon

R6535KNZ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6535KNZ1FEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... R6530ENZ , R6530ENZ1 , R6530KNX , R6530KNX1 , R6530KNZ , R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , P60NF06 , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 .

History: 19MT050XF | IRFHM8334 | ME7686-G | LSC65R180GT | E10P02 | BSC017N04NSG | IXFH13N90

 

 
Back to Top

 


 
.