R6535KNZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: R6535KNZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: TO-3PF
Аналог (замена) для R6535KNZ
R6535KNZ Datasheet (PDF)
r6535knz.pdf

R6535KNZDatasheetNch 650V 35A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.115ID 35APD 102W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packi
r6535knz.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R6535KNZFEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
r6535knz1.pdf

R6535KNZ1DatasheetNch 650V 35A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.115ID 35APD 379W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack
r6535knz1.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R6535KNZ1FEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... R6530ENZ , R6530ENZ1 , R6530KNX , R6530KNX1 , R6530KNZ , R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , P60NF06 , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , R8008ANJ , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 .
History: SIR873DP | IRFR410 | HYG013N03LS1C2 | NCEP039N10MD | SI5429DU | WST2307 | SFG08R06DF
History: SIR873DP | IRFR410 | HYG013N03LS1C2 | NCEP039N10MD | SI5429DU | WST2307 | SFG08R06DF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a