Справочник MOSFET. R6576KNZ1

 

R6576KNZ1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6576KNZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 735 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 76 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 165 nC
   Время нарастания (tr): 200 ns
   Выходная емкость (Cd): 6700 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для R6576KNZ1

 

 

R6576KNZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2192K  rohm
r6576knz1.pdf

R6576KNZ1
R6576KNZ1

R6576KNZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 ..2. Size:304K  inchange semiconductor
r6576knz1.pdf

R6576KNZ1
R6576KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576KNZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:2542K  rohm
r6576enz1.pdf

R6576KNZ1
R6576KNZ1

R6576ENZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

 9.2. Size:304K  inchange semiconductor
r6576enz1.pdf

R6576KNZ1
R6576KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576ENZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top