Справочник MOSFET. R6576KNZ1

 

R6576KNZ1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R6576KNZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для R6576KNZ1

 

 

R6576KNZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2192K  rohm
 r6576knz1.pdf

R6576KNZ1 R6576KNZ1

R6576KNZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 ..2. Size:304K  inchange semiconductor
 r6576knz1.pdf

R6576KNZ1 R6576KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576KNZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:2542K  rohm
 r6576enz1.pdf

R6576KNZ1 R6576KNZ1

R6576ENZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

 9.2. Size:304K  inchange semiconductor
 r6576enz1.pdf

R6576KNZ1 R6576KNZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576ENZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top