RD3L050SN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RD3L050SN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.109 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RD3L050SN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RD3L050SN даташит
rd3l050sn.pdf
RD3L050SN Datasheet Nch 60V 5A Power MOSFET lOutline l VDSS 60V DPAK RDS(on)(Max.) 109m TO-252 ID 5.0A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embos
rd3l050sn.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor RD3L050SN FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 109m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
rd3l080sn.pdf
RD3L080SN Datasheet Nch 60V 8A Power MOSFET lOutline l VDSS 60V DPAK RDS(on)(Max.) 80m TO-252 ID 8A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embo
rd3l08cgn.pdf
RD3L08CGN Datasheet Nch 60V 80A Power MOSFET lOutline l VDSS 60V DPAK RDS(on)(Max.) 7.0m TO-252 ID 80A PD 96W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) High power small mold package 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) 100% Rg and UIS tested 5) Halogen free lPackaging specifications l Embossed
Другие MOSFET... R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , STP65NF06 , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP .
History: MSAFR38N10A | F39W60CP
History: MSAFR38N10A | F39W60CP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b



