RD3L050SN - описание и поиск аналогов

 

RD3L050SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3L050SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.109 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3L050SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3L050SN даташит

 ..1. Size:1594K  rohm
rd3l050sn.pdfpdf_icon

RD3L050SN

RD3L050SN Datasheet Nch 60V 5A Power MOSFET lOutline l VDSS 60V DPAK RDS(on)(Max.) 109m TO-252 ID 5.0A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embos

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3l050sn.pdfpdf_icon

RD3L050SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3L050SN FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 109m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 9.1. Size:1596K  rohm
rd3l080sn.pdfpdf_icon

RD3L050SN

RD3L080SN Datasheet Nch 60V 8A Power MOSFET lOutline l VDSS 60V DPAK RDS(on)(Max.) 80m TO-252 ID 8A PD 15W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embo

 9.2. Size:2764K  rohm
rd3l08cgn.pdfpdf_icon

RD3L050SN

RD3L08CGN Datasheet Nch 60V 80A Power MOSFET lOutline l VDSS 60V DPAK RDS(on)(Max.) 7.0m TO-252 ID 80A PD 96W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) High power small mold package 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) 100% Rg and UIS tested 5) Halogen free lPackaging specifications l Embossed

Другие MOSFET... R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN , STP65NF06 , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP .

History: MSAFR38N10A | F39W60CP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.