SML802R8KN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SML802R8KN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SML802R8KN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML802R8KN даташит

 8.1. Size:22K  semelab
sml8028jvr.pdfpdf_icon

SML802R8KN

SML8028JVR SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3

 9.1. Size:19K  semelab
sml80t27.pdfpdf_icon

SML802R8KN

SML80T27 T247clip Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE 5.38 (0.212) 6.20 (0.244) HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 2 VDSS 800V 1 2 3 2.87 (0.113) ID(cont) 27A 0.40 (0.016) 3.12 (0.123) 0.79 (0.031) 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) RDS(on) 0.300 1.01 (0.040) 1.40 (0.055

 9.2. Size:25K  semelab
sml80b13f.pdfpdf_icon

SML802R8KN

SML80B13F TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) 1 2 3 VDSS 800V 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 13A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0.055) RDS(on) 0.650 2.2

 9.3. Size:26K  semelab
sml80h14.pdfpdf_icon

SML802R8KN

SML80H14 TO 258 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 6.86 (0.270) N CHANNEL 6.09 (0.240) 17.65 (0.695) 17.39 (0.685) 1.14 (0.707) ENHANCEMENT MODE 0.88 (0.035) HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 4.19 (0.165) 3.94 (0.155) Dia. 1 2 3 VDSS 800V ID(cont) 13.5A RDS(on) 0.580 5.08 (0.200) 3.56 (0.140) BSC BSC Faster Switching 1.65 (0.065) 1.39 (0.055) Lower

Другие IGBT... SML802R4BN, SML802R4CN, SML802R4GN, SML802R4KN, SML802R8AN, SML802R8BN, SML802R8CN, SML802R8GN, IRF1407, SML8030CFN, SML8075AN, SML8075BN, SML8075HN, SML8090AN, SML8090BN, SML8090HN, SML80A12