BR4407 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BR4407
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 503 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для BR4407
BR4407 Datasheet (PDF)
br4407.pdf

BR4407 Rev.G Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -12 A (VGS = -20V) RDS(ON)
br4407.pdf

AIIP ERDATA SHEET BR4407 P-Channel p werMOSFETl DescriptinsSOP-8 P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transist r in a SOP-8 Plastic Package.l Features Vos (V) = -30V = A l -12 (VGs = -20V) omRos(ON)
Другие MOSFET... AP4616 , AP4953 , AP55N03 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , AP8810 , AP9926 , IRFB3607 , ATM2301PSA , ATM2302BNSA , ATM2306NSA , ATM2312NSA , ATM2601PSG , ATM2N65TE , ATM2N65TF , ATM3400ANSA .
History: VBZFB10N20 | JCS80N10I | 2N60L-TN3-R | MSAFX20N60A | AP78T10GP-HF | YJG90G10A | RU190N08R
History: VBZFB10N20 | JCS80N10I | 2N60L-TN3-R | MSAFX20N60A | AP78T10GP-HF | YJG90G10A | RU190N08R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106