Справочник MOSFET. IRFS624B

 

IRFS624B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFS624B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFS624B

 

 

IRFS624B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf

IRFS624B IRFS624B

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:874K  fairchild semi
 irf624b irfs624b.pdf

IRFS624B IRFS624B

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:285K  1
 irfs624.pdf

IRFS624B IRFS624B

 7.2. Size:301K  1
 irfs624 irfs625.pdf

IRFS624B IRFS624B

 7.3. Size:511K  samsung
 irfs624a.pdf

IRFS624B IRFS624B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.1 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V Low RDS(ON) : 0.742 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top