APM2071PD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM2071PD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.47 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOT89
APM2071PD Datasheet (PDF)
apm2071pd.pdf
APM2071PD P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4A, RDS(ON)=50m(typ.) @ VGS=-4.5VG RDS(ON)=75m(typ.) @ VGS=-2.5VDS Super High Dense Cell Design Top View of SOT-89 Reliable and Rugged (2) Lead Free and Green Devices AvailableD (RoHS Compliant)Applications(1)G DC/DC ConvertersS(3)P-Channel MOSFETOrdering and Marki
apm2054n.pdf
APM2054N N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/12A, RDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=45m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=110m(typ.) @ VGS=2.5V1 2 31 2 3 Super High Dense Cell Design High Power and Current Handling Capability G D SG D S TO-252, SOT-89 and SOT-223 Packages To
apm2014n.pdf
APM2014NN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/30A , RDS(ON)=12m(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=18m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for ExtremelyLow RDS(ON)1 2 3 Reliable and Rugged TO-252 PackageG D S Top View of TO-252Applications Power Management in Comput
apm2030.pdf
APM2030NN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A , RDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=38m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for ExtremelyLow RDS(ON)1 2 3 Reliable and Rugged TO-252 PackageG D S Top View of TO-252Applications Power Management in Computer
apm2055nu.pdf
APM2055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/10A,D RDS(ON)=55m (Typ.) @ VGS=10VS RDS(ON)=75m (Typ.) @ VGS=4.5VG RDS(ON)=140m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell DesignTop View of TO-252 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD (RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer o
apm2054ndc.pdf
APM2054NDCwww.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 4.5 V 6.8RoHS30 10 nC COMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwis
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
