SML80B12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SML80B12  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SML80B12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML80B12 даташит

 ..1. Size:21K  semelab
 sml80b12.pdf pdf_icon

SML80B12

SML80B12 TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) 1 2 3 VDSS 800V 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 12A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0.055) RDS(on) 0.750 2.21

 7.1. Size:25K  semelab
 sml80b13f.pdf pdf_icon

SML80B12

SML80B13F TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) 1 2 3 VDSS 800V 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 13A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0.055) RDS(on) 0.650 2.2

 7.2. Size:21K  semelab
 sml80b16.pdf pdf_icon

SML80B12

SML80B16 TO 247AD Package Outline. Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) N CHANNEL 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) 1 2 3 VDSS 800V 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) ID(cont) 16A 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0.055) RDS(on) 0.560 2.21

 7.3. Size:54K  semelab
 sml80b16f.pdf pdf_icon

SML80B12

SML80B16F TO 247AD Package Outline. N CHANNEL Dimensions in mm (inches) 4.69 (0.185) 15.49 (0.610) ENHANCEMENT MODE 5.31 (0.209) 16.26 (0.640) 1.49 (0.059) 2.49 (0.098) HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 3.55 (0.140) 3.81 (0.150) VDSS 800V 1 2 3 ID(cont) 16A 1.65 (0.065) 2.13 (0.084) 0.40 (0.016) 0.79 (0.031) 2.87 (0.113) RDS(on) 0.560 3.12 (0.123) 1.01 (0.040) 1.40 (0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SML8030CFN, SML8075AN, SML8075BN, SML8075HN, SML8090AN, SML8090BN, SML8090HN, SML80A12, IRF520, SML80B13, SML80B16, SML80H12, SML80H14, SML80J25, SML80J28, SML80J44, SML80L27