ASDM30N65E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ASDM30N65E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 436 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3
Аналог (замена) для ASDM30N65E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ASDM30N65E даташит
asdm30n65e.pdf
ASDM30N65E 30V N-CHANNEL MOSFET Product Summary Feature l Low Gate Charge VDS 30 V l Green Device Available 4.5 m RDS(on),typ VGS=10V l Super Low Gate Charge A 65 ID l Excellent CdV/dt effect decline l Advanced high cell density Trench technology Applications l Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.
asdm30n65e-r.pdf
ASDM30N65E 30V N-CHANNEL MOSFET Product Summary Feature l Low Gate Charge VDS 30 V l Green Device Available 4.5 m RDS(on),typ VGS=10V l Super Low Gate Charge A 65 ID l Excellent CdV/dt effect decline l Advanced high cell density Trench technology Applications l Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.
asdm30n55e-r.pdf
ASDM30N55E 30V N-CHANNEL MOSFET Feature Product Summary 100% EAS Guaranteed VDS 30 V Green Device Available Super Low Gate Charge RDS(on),typ VGS=10V 4.8 m Excellent CdV/dt effect decline A 55 ID Advanced high cell density Trench technology Application Power Management in Inverter System top view DFN3.3*3.3-8 Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe
asdm30n90kq.pdf
ASDM30N90KQ 30V N-Channel MOSFET General Features Product Summary Low Gate Charge Advanced Trench Technology VDS 30 V Provide Excellent RDS(ON) RDS(on),Typ.@ VGS=10 V 3.6 m High Power and Current Handling Capability 90 ID A Application Load Swtich PWM applications Power management 1 TO-252 N-channel Absolute Maximum Ratings (TA =25 C unless o
Другие MOSFET... ASDM20P09ZB , ASDM2301ZA , ASDM3010 , ASDM3010S , ASDM3020 , ASDM3050 , ASDM3080KQ , ASDM30N55E , 7N65 , ASDM30N90KQ , ASDM30P09ZB , ASDM30P11TD , ASDM30P30CTD , ASDM3400 , ASDM3400ZB , ASDM3401ZB , ASDM3404ZA .
History: IAUC60N04S6L039 | 2SK2445 | ME9435-G | AP4410M | TK65A10N1 | ME85P03 | HU830
History: IAUC60N04S6L039 | 2SK2445 | ME9435-G | AP4410M | TK65A10N1 | ME85P03 | HU830
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d





