Справочник MOSFET. ASDM30N65E

 

ASDM30N65E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ASDM30N65E
   Маркировка: 30N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 436 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для ASDM30N65E

 

 

ASDM30N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  ascend
 asdm30n65e.pdf

ASDM30N65E ASDM30N65E

ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

 0.1. Size:315K  1
 asdm30n65e-r.pdf

ASDM30N65E ASDM30N65E

ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

 7.1. Size:348K  1
 asdm30n55e-r.pdf

ASDM30N65E ASDM30N65E

ASDM30N55E30V N-CHANNEL MOSFETFeatureProduct Summary100% EAS GuaranteedVDS 30 VGreen Device AvailableSuper Low Gate ChargeRDS(on),typ VGS=10V 4.8 mExcellent CdV/dt effect declineA55IDAdvanced high cell density Trench technologyApplication Power Management in Inverter Systemtop viewDFN3.3*3.3-8Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe

 7.2. Size:303K  ascend
 asdm30n90kq.pdf

ASDM30N65E ASDM30N65E

ASDM30N90KQ30V N-Channel MOSFETGeneral Features Product Summary Low Gate Charge Advanced Trench TechnologyVDS 30 V Provide Excellent RDS(ON)RDS(on),Typ.@ VGS=10 V 3.6 m High Power and Current Handling Capability90ID A Application Load Swtich PWM applications Power management1TO-252N-channelAbsolute Maximum Ratings (TA =25C unless o

 7.3. Size:348K  ascend
 asdm30n55e.pdf

ASDM30N65E ASDM30N65E

ASDM30N55E30V N-CHANNEL MOSFETFeatureProduct Summary100% EAS GuaranteedVDS 30 VGreen Device AvailableSuper Low Gate ChargeRDS(on),typ VGS=10V 4.8 mExcellent CdV/dt effect declineA55IDAdvanced high cell density Trench technologyApplication Power Management in Inverter Systemtop viewDFN3.3*3.3-8Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top