Справочник MOSFET. ASDM30P30CTD

 

ASDM30P30CTD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ASDM30P30CTD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8
 

 Аналог (замена) для ASDM30P30CTD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30P30CTD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  1
 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P30CTD

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 ..2. Size:435K  ascend
 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P30CTD

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 0.1. Size:435K  1
 asdm30p30ctd-r.pdf pdf_icon

ASDM30P30CTD

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 7.1. Size:514K  1
 asdm30p11td-r.pdf pdf_icon

ASDM30P30CTD

ASDM30P11TD-30V P-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures Low FOM RDS(on)Qgd 100% avalanche testedV DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliantR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 mI D -55 AApplication Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load SwitchPDFN3*3-8Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ASDM3020 , ASDM3050 , ASDM3080KQ , ASDM30N55E , ASDM30N65E , ASDM30N90KQ , ASDM30P09ZB , ASDM30P11TD , 2N7000 , ASDM3400 , ASDM3400ZB , ASDM3401ZB , ASDM3404ZA , ASDM40N52 , ASDM40N80Q , ASDM4406S , ASDM4410S .

History: NCE3013J | FDD8453LZ-F085 | SNN3100L10D | APT1003RBFLLG | ISL9N302AS3ST | FW201 | IRL5Y7413CM

 

 
Back to Top

 


 
.