ASDM65N18S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ASDM65N18S
Маркировка: 65N18
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ASDM65N18S
ASDM65N18S Datasheet (PDF)
asdm65n18s.pdf
ASDM65N18S65V N-CHANNEL MOSFETFeaturesProduct Summary Low Input Capacitance Low Miller ChargeV DS V 65 Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Input/Output LeakageR DS(on),Typ@ VGS=10 V m 7.0 Pb-free lead plating; RoHS compliantI D 18 A Application Motor / Body Load Control top viewASCENDSOP-8Absolute Maximum Ratings (T =25C
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918