CRST041N08N - аналоги и даташиты транзистора

 

CRST041N08N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CRST041N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CRST041N08N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRST041N08N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  crhj
 crst041n08n crss038n08n.pdf pdf_icon

CRST041N08N

CRST041N08N, CRSS038N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 3.4m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.4m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

 8.1. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRST041N08N

CRST045N10N, CRSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 8.2. Size:588K  crhj
 crst049n08n crss046n08n.pdf pdf_icon

CRST041N08N

CRST049N08N, CRSS046N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.1m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100%

 8.3. Size:567K  crhj
 crst040n10n crss037n10n.pdf pdf_icon

CRST041N08N

CRST040N10N, CRSS037N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CR4N65A4K , CR4N65FA9K , CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , AON7506 , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N , CRST055N08N , CRSS052N08N , CRST060N10N .

History: SUD08P06-155L | QM3002G

 

 
Back to Top

 


 
.