Справочник MOSFET. CRSS057N10N

 

CRSS057N10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRSS057N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 611 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CRSS057N10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSS057N10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  crhj
 crst060n10n crss057n10n.pdf pdf_icon

CRSS057N10N

CRST060N10N, CRSS057N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 5.3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)5.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 8.1. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRSS057N10N

CRST055N08N, CRSS052N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

 9.1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRSS057N10N

CRST037N10N,CRSS035N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.2. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRSS057N10N

CRST045N10N, CRSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N , CRST055N08N , CRSS052N08N , CRST060N10N , P60NF06 , CRST065N08N , CRSS063N08N , CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L .

History: CJAC20N03 | IRFBC30APBF | WMO60N02T1 | SFG10S08PF | CJAC13TH06 | DAMIA1100N100 | IPI26CN10N

 

 
Back to Top

 


 
.