CRSS063N08N - описание и поиск аналогов

 

CRSS063N08N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRSS063N08N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CRSS063N08N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSS063N08N даташит

 ..1. Size:598K  crhj
 crst065n08n crss063n08n.pdf pdf_icon

CRSS063N08N

CRST065N08N, CRSS063N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 5.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100

 9.1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRSS063N08N

CRST037N10N,CRSS035N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ 3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

 9.2. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRSS063N08N

CRST055N08N, CRSS052N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 1

 9.3. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRSS063N08N

CRST045N10N, CRSS042N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N , CRST055N08N , CRSS052N08N , CRST060N10N , CRSS057N10N , CRST065N08N , 4N60 , CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N .

History: UPA1804GR | PSMN6R3-120PS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.