CRSS082N15N - аналоги и даташиты транзистора

 

CRSS082N15N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CRSS082N15N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 512 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CRSS082N15N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRSS082N15N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  crhj
 crst085n15n crss082n15n.pdf pdf_icon

CRSS082N15N

CRST085N15N, CRSS082N15N() SkyMOS1 N-MOSFET 150V, 7m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 150V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100

 9.1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRSS082N15N

CRST037N10N,CRSS035N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.2. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRSS082N15N

CRST055N08N, CRSS052N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

 9.3. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRSS082N15N

CRST045N10N, CRSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CRSS046N08N , CRST055N08N , CRSS052N08N , CRST060N10N , CRSS057N10N , CRST065N08N , CRSS063N08N , CRST085N15N , IRF1407 , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L .

History: SM6F25NSU | IPD65R1K5CE | HOA2307

 

 
Back to Top

 


 
.