CRTD030N04L - описание и поиск аналогов

 

CRTD030N04L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRTD030N04L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 679 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CRTD030N04L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTD030N04L даташит

 ..1. Size:560K  crhj
crtd030n04l.pdfpdf_icon

CRTD030N04L

CRTD030N04L ( ) Trench N-MOSFET 40V, 2.5m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 5.1. Size:563K  crhj
crtd030n03l.pdfpdf_icon

CRTD030N04L

CRTD030N03L ( ) Trench N-MOSFET 30V, 2.3m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.1. Size:647K  crhj
crtd084ne6n.pdfpdf_icon

CRTD030N04L

CRTD084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 65V, 7.1m , 85A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 65V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 85A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.2. Size:538K  crhj
crtd055n03l.pdfpdf_icon

CRTD030N04L

CRTD055N03L ( ) Trench N-MOSFET 30V, 4.3m , 58A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 58A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

Другие MOSFET... CRSS052N08N , CRST060N10N , CRSS057N10N , CRST065N08N , CRSS063N08N , CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , 10N65 , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.