SKSS042N10N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SKSS042N10N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 227 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 952 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SKSS042N10N
SKSS042N10N Datasheet (PDF)
skd503t skss042n10n.pdf
SKD503T, SKSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)3.6mID Qualified according to JEDEC criteria 120AApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100%
skst065n08n skss063n08n.pdf
SKST065N08N, SKSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 105AFeatures Product Summary Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology Wafer Code WCB Extremely low on-resistance RDS(on) VDS 85V Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)5.6mID Qualified according to JEDEC criteria 105AApplications Motor control and drive100% Avala
skd502t skss055n08n.pdf
SKD502T, SKSS055N08NSkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tes
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
