AS3434E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AS3434E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для AS3434E
AS3434E Datasheet (PDF)
as3434e.pdf
N-Channel MOSFET(ESD)AS3434ESOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: R34Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 10 VContinuous Drain Curren
Другие MOSFET... AS3404 , AS3407 , AS3409 , AS3415E , AS3416E , AS3418 , AS3422 , AS3423 , IRF540 , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 , AS4435S , AS4606BS , AS60N20S , AS8205M .
History: JMTC018N03A | 2SK3092I | WMM80R260S
History: JMTC018N03A | 2SK3092I | WMM80R260S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b


