AK12N65S - описание и поиск аналогов

 

AK12N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AK12N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-262AB

Аналог (замена) для AK12N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AK12N65S даташит

 ..1. Size:1850K  anbon
at12n65s af12n65s ak12n65s ag12n65s.pdfpdf_icon

AK12N65S

Другие MOSFET... AK10N60S , AG10N60S , AT10N65S , AF10N65S , AK10N65S , AG10N65S , AT12N65S , AF12N65S , 7N65 , AG12N65S , AT14N15S , AT7N65S , AU10N65S , AU2N60S , AD2N60S , AT2N60S , AF2N60S .

History: TSM4N90CI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.