AU6N70S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AU6N70S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251AB

Аналог (замена) для AU6N70S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AU6N70S даташит

 ..1. Size:3347K  anbon
 au6n70s.pdf pdf_icon

AU6N70S

Другие IGBT... AK5N60S, AG5N60S, AU5N65S, AD5N65S, AT5N65S, AF5N65S, AK5N65S, AG5N65S, IRFP250, AU7N60S, AD7N60S, AT7N60S, AF7N60S, AK7N60S, AG7N60S, AU8N60S, AD8N60S